APTC60AM35T1G
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:場效應管模塊,SP1
技術參數:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
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參數詳情:
制造商產品型號:APTC60AM35T1G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1系列:-FET 類型:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):600V電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):72A不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):518nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14000pF @ 25V功率 - 最大值:416W安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1供應商器件封裝:SP1APTC60AM35T1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。