APT80GP60J
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：IGBT模塊，ISOTOP
技術參數：IGBT 600V 151A 462W SOT227
（專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨！）
（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
參數詳情：
制造商產品型號：APT80GP60J制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 151A 462W SOT227系列：POWER MOS 7IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：151A功率 - 最大值：462W不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，80A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：9.84nF @ 25V輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝/外殼：ISOTOP供應商器件封裝：ISOTOPAPT80GP60J的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
